FP6717是用同步整流技术（采用通态电阻极低的功率MOSFET来取代整流二极管，因此能大大降低整流器的损耗，提高DC／DC变换器的效率，满足低压、大电流整流的需要。）的升压IC。      FP6717内置了超低内阻(42m？）专用功率PMOS管，和 8A大电流的开关NMOS管；      FP6717宽输入电压：2.5V...

PS7516内置PMOS+NMOS两MOS管整流，外围省去了肖特基二极管。PS7516外围电路仅：电阻，电容和一个贴片功率电感。无肖特基二极管，使PS7516能做到更大的效率，锂电池升压效率最高可达到95%。     PS7516宽输入电压范围2V～5.5V，低功耗，有自恢复功能，短路保护，过...

　　锑化镓是一种非常重要的III-V族直接带隙半导体材料，是研制II类超晶格中红外波段激光器、探测器的理想衬底材料。目前锑化镓基中红外激光器、探测器已广泛应用于夜视、通讯、气象、大气监测、工业探伤、地球资源探测、测温等领域。　...

技术规格： SpecificationMin.Typ.Max.Unit Operating Temperature-40-100°C Storage Temperature-40-100°C Operating Voltage1.52.13.6V ESD Rating(MIL-STD-88...

基本介绍  产品信息 PEEK线性滚轮 PEEK高分子聚合物及其改性复合材料是当今市场上公认的具有最高综合性能的可熔融加工的高分子聚合物新材料，具有优异的化学稳定性、生物兼容性、高纯度、高强度、耐高温（长期可耐受260℃）、耐水解、自润滑、耐磨损、高精度、尺寸稳定等突出的特性优点。         采购须知  1、...

基本介绍  产品信息 PEEK多孔连接器 PEEK高分子聚合物及其改性复合材料是当今市场上公认的具有最高综合性能的可熔融加工的高分子聚合物新材料，具有优异的化学稳定性、生物兼容性、高纯度、高强度、耐高温（长期可耐受260℃）、耐水解、自润滑、耐磨损、高精度、尺寸稳定等突出的特性优点。         采购须知  1、物...

基本介绍  产品信息 PEEK滑轨头 PEEK高分子聚合物及其改性复合材料是当今市场上公认的具有最高综合性能的可熔融加工的高分子聚合物新材料，具有优异的化学稳定性、生物兼容性、高纯度、高强度、耐高温（长期可耐受260℃）、耐水解、自润滑、耐磨损、高精度、尺寸稳定等突出的特性优点。       ...

基本介绍  产品信息 PEEK扎带 PEEK高分子聚合物及其改性复合材料是当今市场上公认的具有最高综合性能的可熔融加工的高分子聚合物新材料，具有优异的化学稳定性、生物兼容性、高纯度、高强度、耐高温（长期可耐受260℃）、耐水解、自润滑、耐磨损、高精度、...

12V转5V3A 外围简单 降压IC FR9833 型号/规格：12V转5V3A 品牌/商标：FITIpower授权代理商 应用：12V转5V3A IC型号：FR9833 FR9833 输入12V转5V 3A输出，外围元件少，设计简单。 FR9832  宽输入电压范围：6V～32V   固定输出5V  输出电流2A；12V转...

技术规格： SpecificationMin.Typ.Max.Unit Operating Temperature-40-100°C Storage Temperature-40-100°C Operating Voltage1.52.13.6V ESD Rating(MIL-STD-883E 3015.7 ...

产品详细说明 型号/规格FP6719品牌/商标台湾天钰输出电压5V,9V,12V输入电压2.9V～5.5VQC2.0内置升压器快充IC     FP6719是一颗QC2.0快速充电IC，内置升压器的QC2.0快充芯片。   FP6719输入电压：2.9V～5.5V，适用于锂电池输入，智能输出5V，9V，12V；例如：移动电源       ...

磁控溅射镀膜是一种新型的物理气相镀膜方式,溅射靶材的要求较传统材料行业高，一般要求如，尺寸、平整度、纯度、各项杂质含量、密度、N/O/C/S、晶粒尺寸与缺陷控制；较高要求或特殊要求包含:表面粗糙度、电阻值、晶粒尺寸均匀性、成份与组织均匀性、异物(氧化物)含量与尺寸、导磁率、超高密度与超细晶粒等等。(图片仅供参考) 项目单质靶材（Cu，In，Se）比例（按...

我公司长期提供各种高纯金属，半导体化合物，靶材，接受各种定制合成。（冉松林，13541048799，QQ:122686839） 主营产品或服务：靶材;陶瓷靶材;金属靶材;合金靶材;蒸发镀膜料;蒸发舟;坩埚;基片;晶体材料;粉末材料;sputtering target;磁控溅射靶材;高纯金属;氧化物靶材;氟化物靶材;硫化...

技术规格： SpecificationMin.Typ.Max.Unit Operating Temperature-40-100°C Storage Temperature-40-100°C Operating Voltage1.52.1 3.6V ESD Ra...

　　氮化镓作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表，具有禁带宽度大、击穿场强高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和高化学稳定性等优异性能。氮化镓基材料特别适合制备新一代高频、大功率器件和电路以及高速低损耗电力电子器件，广泛应用于卫星通信。雷达、航母、电子战系统、航空航天、自动控制、电动汽车、电力运输的分配等军工和民用的关键领域。...

磷化铟是一种重要的化合物半导体材料，具有电子极限漂移速度高、耐辐射性好、导热好的优点。适用于制造高频、高速、大功率微波器件和集成电路，在固态发光、微波通信、光纤通信、制导/导航、卫星等民用和军事等领域的应用十分广泛。...

规格尺寸：2-8英寸 也可按照客户要求定制加工各种规格尺寸 硅片种类：单抛片、双抛片、氧化片、外延片硅片类型： N型、  P型、 FZ 硅片晶向： <100> <111> <110> 以及各种偏角度的硅片 硅片厚度： 100 - 500um及各种特殊厚度，公差+-10um,  ...

　　产品详细说明 　　型号/规格12V转5V3A品牌/商标FITIpower授权代理商应用12V转5V3AIC型号FR983 　　FR983输入12V转5V　3A输出，外围元件少，设计简单。 　　FR9832宽输入电压范围：6V～32V　固定输出5V　输出电流2A；12V转5V2A 　　FR983宽输入电压范围：6V～32V　固定输出5V　输出电流3A.12V转...