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	低压MOS管 FET特点：逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)：30V Id时的Vgs(th)（最大）：1.5V @ 250μA 闸电荷(Qg) @ Vgs：13nC @ 4.5V 在Vds时的输入电容(Ciss)：1.4W...	2026-08-02