点击图片查看原图“低压MOS管”参数说明
| 结构形式： | NPN | 结构工艺： | 平面管 |
| 安装方式： | 贴片 | 材料： | 硅管 |
| 封装形式： | 塑料封装 | 工作状态： | 截止 |
“低压MOS管”详细介绍
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：30V
Id时的Vgs(th)（最大）：1.5V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：13nC @ 4.5V
在Vds时的输入电容(Ciss)：1.4W
漏极至源极电压(Vdss)：30V
Id时的Vgs(th)（最大）：1.5V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：13nC @ 4.5V
在Vds时的输入电容(Ciss)：1.4W