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	2-4英寸锑化镓晶片　　锑化镓是一种非常重要的III-V族直接带隙半导体材料，是研制II类超晶格中红外波段激光器、探测器的理想衬底材料。目前锑化镓基中红外激光器、探测器已广泛应用于夜视、通讯、气象、大气监测、工业探伤、地球资源探测、测温等领域。　...	2026-09-21
	2-4寸氮化镓基外延　　氮化镓作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表，具有禁带宽度大、击穿场强高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和高化学稳定性等优异性能。氮化镓基材料特别适合制备新一代高频、大功率器件和电路以及高速低损耗电力电子器件，广泛应用于卫星通信。雷达、航母、电子战系统、航空航天、自动控制、电动汽车、电力运输的分配等军工和民用的关键领域。...	2026-08-14
	2-4英寸磷化铟晶片磷化铟是一种重要的化合物半导体材料，具有电子极限漂移速度高、耐辐射性好、导热好的优点。适用于制造高频、高速、大功率微波器件和集成电路，在固态发光、微波通信、光纤通信、制导/导航、卫星等民用和军事等领域的应用十分广泛。...	2026-07-29